快捷搜索:

KIOXIA铠侠已经继承东芝存储器的衣钵,并将其继续

铠侠拥有全方位的存储产品声威,面向小我破费者的产品包括SATA和NVMe固态硬盘、microSD和SD存储卡、USB闪存盘等。

即便抛开手机和电脑,现代人的平生依然离不开闪存。这项东芝在上世纪80年代的发现已经成为举足轻重的电子元件。现在,KIOXIA铠侠已经承袭东芝存储器的衣钵,并将其继承发扬光大年夜。

NOR闪存和NAND闪存

我们日常平凡评论争论的闪存平日是指1987年问世的NAND型号闪存,NOR型闪致意世于更早的1984年。当时闪存并非独一的电子存储器,在此之前还有EPROM和EERPOM等类似元件, NOR闪存也属于广义上的EEPROM(电可擦编程只读存储器),但NOR闪存凭借更低资源和更高容量取代了后者。

呈现较晚的NAND闪存则进一步增强了低资源和大年夜容量上风,成为手机、固态硬盘等电子产品的抱负存储介质。除了常见数码和IT产品之外,铠侠还供给可供5G、物联网、人工智能以及自动驾驶利用的UFS及eMMC芯片,它们同样基于NAND闪存,并搭载有智能闪存节制器。

NAND闪存成长和3D闪存的问世

经由过程制程微缩和MLC技巧,闪存的每个存储单元体积变得更小、每个存储单元中可容纳的数据则越来越多,存储密度赓续成长,推进闪存从工业到家庭利用的遍及。

不过成长到10z nm工艺和3bit per cell今后,因为物理大年夜小的限定,已经无法经由过程传统的要领继承前进闪存密度。东芝在2007年发布了三维(3D)闪存层叠技巧,并在后来推出3D闪存:BiCS Flash。

BiCS闪存具有高密度大年夜容量的优点。因为闪存单元之间的空间弘远年夜于传统2D闪存,削减了单元间耦合效应,BiCS闪存的靠得住性比以前更高。因为支持单次编法度榜样列,BiCS闪存的写入速率更快、应用功耗更低。

经由过程前进堆叠层数,3D闪存可以得到稳步的容量增长,2017年6月28日宣布的96层BiCS FLASH在单位面积内可以供给的存储容量大年夜约是64层BiCS FLASH的1.4倍。使得跨越1TB容量的固态硬盘价格落入大年夜众玩家可以遭遇的水平。

铠侠存储产品声威

铠侠拥有全方位的存储产品声威,面向小我破费者的产品包括SATA和NVMe固态硬盘、microSD和SD存储卡、USB闪存盘等。

SATA接口的铠侠TC10为入门用户供给了一个高性价比系统盘替代者,今朝TC10 240GB的京东售价仅为259元,参加好评晒单活动还可得到30元E卡奖励。

RC10应用自力缓存设计和单面PCB设计,是轻薄条记本电脑以及中高端台式机的好过错,5月22日前在京东购买RC10 500GB并按活动要求晒单可有时机得到50元京东E卡。

全新的铠侠存储卡色彩光显、时尚简约,经由过程外包装可以直接得到保举利用处景和设备搭配信息。无论是手机平板、运动相机、行车记录仪或专业单反相机,都有与之对应的存储卡产品可供选择。刻期起至5月22日,在京东购买指定型号的EXCERIA存储卡并按要求晒单即有时机得到15元或20元京东E卡奖励。

您可能还会对下面的文章感兴趣: